Год издания: 1999
Аннотация: 1). Выращена серия монокристаллов VxFe1-xBO3 c x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 0.95, 1. 2). Экспериментально изучены температурные и полевые зависимости намагниченности, сопротивления и магнитосопротивления твердых растворов VxFe1-xBO3. Обнаружен скачок сопротивления на 5 порядков в VBO3 от 10-4 Омxсм до 10-9 Омxсм при понижении температуры Показать полностьюот комнатной до 180 К, магнитные свойства при этом меняются плавно. 3). Экспериментально обнаружен эффект кроссовера в полевой зависимости сопротивления в вырожденном ферромагнитном полупроводнике n-HgCr2Se4, выше и ниже точки Кюри, точно такой же как ранее был обнаружен в La2- xCaxMnO3, что позволяет сравнить механизмы магнитосопротивления в обеих веществах. 4). В рамках многоэлектронной периодической модели Андерсона с учетом сильным электронных корреляций и S-d обмена вычислен примесный вклад в магнитосопротивление ферромагнитного полупроводника n-HgCr2Se4 и La1- x(Sr,Ca)xMnO3. Объясняем кроссовер в низкополевой части магнитосопротивления от квадратичного при Т>Tc к линейному при Т<Tc. 5). Обобщенный метод сильной связи для расчета электронной структуры сильнокоррелированных оксидов переходных металлов, развитый ранее авторами проекта для высокотемпературных сверхпроводников, применен для манганитов. В рамках реалистичной многозонной p-d модели получены уравнения для точной диагонализации гамильтониана в базисе высокоспиновых d5, d4L и d3L2 конфигураций, результаты которой используются в дальнейшем для расчета закона дисперсии бесконечной решетки. Получены дисперсионные уравнения для зонной структуры квазичастиц, зависящей от концентрации и вида магнитного порядка. 6). В рамках периодической модели Андерсона изучено влияние магнитного поля на температурную зависимость электронной теплоемкости и магнитной восприимчивости. Показано, что магнитное поле может приводить к появлению дополнительных максимумов в температурной зависимости теплоемкости на энергетических масштабах, простым образом связанных с параметрами электронной структуры.