Тип публикации: патент
Год издания: 2023
Аннотация: Изобретение относится к области химии и может быть использовано для получения поликристаллического тройного соединения со структурой силленита (Bi12(GexSi1-x)O20), которое может применяться в качестве исходной шихты для монокристаллов. Предложен способ получения германата-силиката висмута со структурой силленита, включающий предварительное механическое смешивание исходных порошков оксидов висмута (Bi2O3), германия (GeO2) и кремния (SiO2), нагревание полученной смеси в платиновом тигле до заданной температуры, согласно изобретению смешивают исходные порошки Bi2O3 - 85,7 мол. %, GeO2 - 0,3-13,3 мол. % и SiO2 - 1-14 мол. %, нагревают до температуры 1060-1160°С с выдержкой в данном температурном интервале 20-60 мин, после чего полученный расплав выливают на платиновую подложку. Технический результат – предложенный способ позволяет обеспечить получение соединений с кристаллической структурой силленита Bi12(GexSi1-x)O20, лишенных посторонних примесных фаз, а также сократить время синтеза без введения дополнительных компонентов реакции. 8 ил., 2 пр.
FIELD: chemistry. SUBSTANCE: invention relates to the field of chemistry; it can be used for the production of a polycrystal triple compound with a sillenite structure (Bi12(GexSi1-x)O20), which can be used as a source charge for monocrystals. A method for the production of bismuth germanate-silicate with a sillenite structure is proposed, including preliminary mechanical mixing of initial powders of oxides of bismuth (Bi2O3), germanium (GeO2), and silicon (SiO2), heating of the resulting mixture in a platinum crucible to a set temperature. According to the invention, initial powders of Bi2O3 – 85.7 mol.%, GeO2 – 0.3-13.3 mol.%, and SiO2 – 1-14 mol.% are mixed, heated to a temperature of 1060-1160°C with exposure at this temperature range for 20-60 min, after which the resulting melt is poured onto platinum substrate. EFFECT: proposed method allows for provision of the production of compounds with a crystal sillenite structure Bi12(GexSi1-x)O20, deprived of side impurity phases, as well as reduction in synthesis time without introduction of additional reaction components. 1 cl, 8 dwg, 2 ex