Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2022

Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292

Ключевые слова: titanium oxide-nitride, temperature sensors, thin films, atomic layer deposition, Integrated circuit components, оксинитрид титана, Температурные сенсоры, тонкие пленки, атомно-слоевое осаждение, элементы интегральных схем

Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiN_xO_y с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN_0.87O_0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники. The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40-nm thick TiN0.87O0.97 is presented.

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 48, № 20

Номера страниц: 39-42

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

• Барон Ф.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Шанидзе Л.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Рауцкий М.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Лукьяненко А.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Коновалов С.О. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
• Зеленов Ф.В. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
• Швец П.В. (Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта)
• Гойхман А.Ю. (Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта)
• Волков Н.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Тарасов А.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)