Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2022
Идентификатор DOI: 10.31857/S0044451022090176
Аннотация: Были проведены исследованиятранспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной оПоказать полностьюриентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поляи может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 162, № 3
Номера страниц: 432-439
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Российская академия наук, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН