Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2022
Идентификатор DOI: 10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320
Ключевые слова: cadmium telluride, dynamics of structural defects, Thermal activation energy, теллурид кадмия, динамика структурных дефектов, энергия тепловой активации
Аннотация: Надежность электронного оборудования, в том числе и в аэрокосмической отрасли, как в нормальных, так и в экстремальных условиях сопряжена с деградацией материалов ввиду формирования и развития дефектной сети. Теллурид кадмия - один из полупроводников, который активно используется при создании солнечных элементов и современных устроПоказать полностьюйств микроэлектроники. В работе предложена модель распределения точечных дефектов в теллуриде кадмия до воздействия какого-либо ионизирующего излучения, что позволило рассчитать эффективную энергию тепловой активации пары Френкеля - 1,37 эВ. Исследования особенностей формирования и эволюции дефектов с применением методов моделирования в теллуриде кадмия, в перспективе позволит повысить качество его технологического использования, экономя финансовые ресурсы и повышая надежность изделий. The reliability of electronic equipment, including in the aerospace industry, both under normal and extreme conditions, is associated with the degradation of materials due to the formation and development of a defective network. Cadmium telluride is one of the semiconductors that is actively used in the creation of solar cells and modern microelectronic devices. In this paper, the model of the point defects distribution in cadmium telluride before exposure to any ionizing radiation is proposed, that made it possible to calculate the effective thermal activation energy of a Frenkel pair equal to 1.37 eV. Studies of the features of the defects formation and evolution using modeling methods in cadmium telluride, in the future, will improve the quality of its technological use, saving financial resources and increasing the reliability of products.
Журнал: Сибирский аэрокосмический журнал
Выпуск журнала: Т. 23, № 2
Номера страниц: 315-320
ISSN журнала: 27128970
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева