Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2022
Идентификатор DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52112.9765
Ключевые слова: germanium, single crystals, mechanical stress, optical inhomogeneity, Oxygen impurity, германий, монокристаллы, механические напряжения, оптическая неоднородность, примесь кислорода
Аннотация: Представлены результаты исследования радиального распределения механических напряжений, концентрации кислорода и оптической неоднородности в кристаллах германия диаметром 200 мм, легированных сурьмой, с удельным электрическим сопротивлением от 10.5 до 18.5 Ом · см, выращенных по методу Чохральского. Установлено, что остаточные напрПоказать полностьюяжения, рассчитанные по данным рентгеноструктурного анализа, коррелируют с результатами численного моделирования термоупругих напряжений и взаимосвязаны со значениями оптической неоднородности и концентрации растворенного кислорода, присутствующего в германии в атомарно-диспергированном состоянии. The radial distribution of mechanical stress, optical inhomogeneity and oxygen concentration in Sb-doped germanium crystals grown by the Czochralski method with diameter of 200 mm and resistivity from 10.5 to 18.5 Ω·cm were studied. It was found that residual stress calculated from the data of X-ray structural analysis correlates with results of numerical simulation of thermoelastic stress and interrelates with optical inhomogeneity and concentration of oxygen presented in the atomically dispersed state in germanium.
Журнал: Физика и техника полупроводников
Выпуск журнала: Т. 56, № 3
Номера страниц: 285-290
ISSN журнала: 00153222
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук