Получение пленок сульфида цинка на поверхности золота как сенсора электрохимического кварцевого микробаланса : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.31857/S0424857021120045

Ключевые слова: сфалерит, тонкие пленки, гидрохимическое осаждение, электрохимия, кварцевое микровзвешивание, динамическое рассеяние света, золото, спектроскопия

Аннотация: Изучено осаждение пленки сульфида цинка из водного раствора сульфата цинка с использованием тиомочевины в качестве сульфидизатора на поверхность золота для получения датчика электрохимического кварцевого микробаланса (EQCM). Кинетика процесса, образующиеся в растворе частицы и пленка исследованы методами кварцевого микровзвешивания, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, оптической и рамановской спектроскопии, динамического рассеяния света. Изучено влияние подготовки поверхности золота, концентрации реагентов и температуры на адгезию, длительность индукционного периода, кинетику роста, структуру и толщину пленки. Установлено, что формирование пленки происходит за счет осаждения достаточно крупных, 200–700 нм коллоидных частиц сфалерита. Показана возможность исследований с применением полученного сенсора электрохимических реакций ZnS и межфазных явлений методами EQCM и циклической вольтамперометрии.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Электрохимия

Выпуск журнала: Т. 57, 12

Номера страниц: 762-768

ISSN журнала: 04248570

Место издания: Москва

Издатель: Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Российская академия наук, Российская академия наук

Персоны

  • Криницын Д.О. (Сибирский федеральный университет)
  • Романченко А.С. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Воробьев С.А. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Лихацкий М.Н. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Карачаров А.А. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Крылов А.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Волочаев М.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)

Вхождение в базы данных