Перевод названия: THE STRUCTURAL Defect FORMATION in zinc sulfide used in space technology
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Ключевые слова: zinc sulfide, semiconductor materials, transmission electron microscopy, сульфид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия
Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в сульфиде цинка (ZnS), который используется для создания люминофоров, полупроводниковых лазеров, а также для детекторов регистрации ионизирующего излучения. Однако данный материал имеет невысокое значение энергии дефекта упаковки (ЭДУ), что говорит о быстром росте дефектной сети и деградаПоказать полностьюции материала при работе в неблагоприятных условиях. The specific features of structural defect formation in zinc sulfide (ZnS) used to create luminophores, semiconductor lasers and detectors for registration of ionizing radiation are discussed. However, this material has a low value of the stacking fault energy (SFE) and it indicates the rapid growth of the defect network and material degradation when operating in adverse conditions.
Журнал: Решетневские чтения
Выпуск журнала: Т. 1, № 18
Номера страниц: 475-476
ISSN журнала: 19907702
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева