Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2021
Идентификатор DOI: 10.21883/FTT.2021.12.51685.139
Ключевые слова: thin films, Cu6Sn5 intermetallic compound, transmission electron microscopy, electron diffraction, тонкие пленки, интерметаллид Cu6Sn5, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция электронов
Аннотация: Исследовано формирование интерметаллида Cu6Sn5 в двухслойных тонких пленках Sn(55 nm)/Cu(30 nm) при нагреве непосредственно в колонне просвечивающего электронного микроскопа (режим дифракции электронов) от комнатной температуры до 300oC с фиксацией электронограмм. Полученные в результате твердофазной реакции пленки были монофазными и состояли из гексагональной eta-Cu6Sn5 фазы. Установлен температурный интервал образования eta-Cu6Sn5 фазы (95-260oC). На основании проведенной оценки эффективного коэффициента взаимной диффузии при реакции (5·10-16 m2/s) предположено, что основным механизмом образования тонких пленок Cu6Sn5 является диффузия по границам зерен и дислокациям. The study of the formation of the Cu6Sn5 intermetallic compound in Sn(55nm)/Cu(30nm) thin bilayer films was carried out directly in the column of a transmission electron microscope (electron diffraction mode) by heating the film sample from room temperature to 300 °C and recording the electron diffraction patterns. The thin films formed as a result of a solid state reaction were monophase and consisted of the η-Cu6Sn5 hexagonal phase. The temperature range for the formation of the η-Cu6Sn5 phase was determined. The estimate of the effective interdiffusion coefficient of the reaction suggests that the main mechanism for the formation of the Cu6Sn5 intermetallic is diffusion along the grain boundaries and dislocations.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 63, № 12
Номера страниц: 2205-2209
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук