ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА NiO ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.31857/S004445102109011X

Аннотация: В рамках многоэлектронного подхода изучено влияние высокого давления на электронные свойства NiO. Физика низких энергий описывается эффективной моделью Хаббарда, учитывающей d-электроны Ni и p-электроны O в трех зарядовых секторах гильбертова пространства: нейтральных состояниях (конфигурации d8 + d9L + d10L2), состояниях с одной дПоказать полностьюыркой (конфигурации d7 + d8L + d9L2) и состояниях с одним добавленным электроном (d9 + d10L), где L обозначает дырку на лиганде. Из-за кроссовератермов с высоким спином (HS) и низким спином (LS) в состояниях с одной дыркой при давлении PS , определяемом конкуренцией хундовского внутриатомного обменного взаимодействия и увеличивающегося с давлением кристаллического поля 10Dq, эффективный параметр Хаббарда Ueff и зарядовая щель Eg зависят от давления. Мы получили слабое увеличение Eg для P < PS и слабое уменьшение Eg для P > PS . Давление перехода Мотта - Хаббарда оценивается в интервале 450-650 ГПа.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 160, 3

Номера страниц: 443-452

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Российская академия наук, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН

Персоны

  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л. В. Киренского, Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр» Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Овчинникова Т.М. (Институт леса им. В. Н. Сукачева, Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр» Сибирского отделения Российской академии наук)

Вхождение в базы данных