Тип публикации: патент
Год издания: 2021
Аннотация: Изобретение относится к области получения германата висмута Bi4Ge3O12 для использования в качестве исходного материала для выращивания чистых и бездефектных монокристаллов, в гамма-спектроскопии, в ядерной промышленности, в технологии высоких энергий, в медицине, опто- и акустоэлектронике, физике высоких энергий. Способ получения германата висмута Bi4Ge3O12 методом литья включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида германия GeO2, нагрев полученной смеси в платиновом тигле до 1200-1250°С с выдержкой в данном температурном интервале 15-60 мин, после чего полученный расплав льют на платиновую подложку, разогретую до 250±20°С. Изобретение обеспечивает получение чистого германата висмута при снижении временных затрат на его получение. 5 ил.<br> FIELD: chemistry.<br> SUBSTANCE: invention relates to the field of obtaining Bi4Ge3O12 bismuth germanate for use as a starting material for growing pure and defect-free single crystals, in gamma spectroscopy, in the nuclear industry, in high-energy technology, in medicine, opto- and acoustoelectronics, high-energy physics. The method for producing Bi4Ge3O12 bismuth germanate by casting includes preliminary mechanical mixing of the initial powders of Bi2O3 bismuth oxide and GeO2 germanium oxide, heating the resulting mixture in a platinum crucible to 1200-1250°C with holding in this temperature range for 15-60 minutes, after which the resulting melt is poured onto a platinum substrate heated to 250±20°С.<br> EFFECT: invention ensures the production of pure bismuth germanate while reducing the time spent on its production.<br> 1 cl, 5 dwg<br>