Микрополосковые фильтры с широкими полосами пропускания : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50796.18581

Ключевые слова: bandpass filter, microstrip resonator, dielectric substrate, frequency response, полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика

Аннотация: Разработаны новые микрополосковые конструкции полосно-пропускающих фильтров на основе фильтра нижних частот, в котором часть или все отрезки высокоомных микрополосковых линий соединены с экраном шлейфами. Фильтры обладают высокими частотно-селективными свойствами, а их относительная ширина полосы пропускания попадает в интервал 30-Показать полностью150%. Экспериментальный образец фильтра с центральной частотой полосы пропускания 2 GHz и ее относительной шириной 70%, изготовленный на подложке из поликора толщиной 1 mm, имеет площадь подложки 46x 21 mm. Показано хорошее согласие измеренных амплитудно-частотных характеристик фильтра с характеристиками, рассчитанными с помощью численного электродинамического анализа его 3D-модели. Ключевые слова: полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика. New microstrip designs of bandpass filters based on a low-pass filter was developed. Several or all the sections of high-impedance microstrip lines of the designed filters were connected to the ground by stubs. The filters have high frequency-selective properties, and their fractional bandwidths are in the range of 30 % -150 %. An experimental sample of a filter with a 2 GHz central frequency of the passband and 70% fractional bandwidth was made on an alumina substrate 1 mm thick. The filter has a substrate area of 46 × 21 mm2. Good agreement of the measured frequency response of the filter with the characteristics calculated by the numerical electrodynamic analysis of its 3D model was shown.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 47, 7

Номера страниц: 30-34

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Авторы

  • Беляев Б.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
  • Ходенков С.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
  • Говорун И.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Сержантов А.М. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных