Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2021
Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50796.18581
Ключевые слова: bandpass filter, microstrip resonator, dielectric substrate, frequency response, полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика
Аннотация: Разработаны новые микрополосковые конструкции полосно-пропускающих фильтров на основе фильтра нижних частот, в котором часть или все отрезки высокоомных микрополосковых линий соединены с экраном шлейфами. Фильтры обладают высокими частотно-селективными свойствами, а их относительная ширина полосы пропускания попадает в интервал 30-Показать полностью150%. Экспериментальный образец фильтра с центральной частотой полосы пропускания 2 GHz и ее относительной шириной 70%, изготовленный на подложке из поликора толщиной 1 mm, имеет площадь подложки 46x 21 mm. Показано хорошее согласие измеренных амплитудно-частотных характеристик фильтра с характеристиками, рассчитанными с помощью численного электродинамического анализа его 3D-модели. Ключевые слова: полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика. New microstrip designs of bandpass filters based on a low-pass filter was developed. Several or all the sections of high-impedance microstrip lines of the designed filters were connected to the ground by stubs. The filters have high frequency-selective properties, and their fractional bandwidths are in the range of 30 % -150 %. An experimental sample of a filter with a 2 GHz central frequency of the passband and 70% fractional bandwidth was made on an alumina substrate 1 mm thick. The filter has a substrate area of 46 × 21 mm2. Good agreement of the measured frequency response of the filter with the characteristics calculated by the numerical electrodynamic analysis of its 3D model was shown.
Журнал: Письма в Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 47, № 7
Номера страниц: 30-34
ISSN журнала: 03200116
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук