Новый метод получения прозрачных проводящих пленок оксида индия (III) и оксида индия-олова : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.17516/1998-2836-0215

Ключевые слова: films, indium oxide, indium tin oxide, anion resin exchange synthesis, пленки, оксид индия, оксид индия-олова, анионообменный синтез

Аннотация: В работе получены седиментационно устойчивые золи гидроксидов индия (III) и олова(IV) методом анионообменного синтеза, заключающимся в обменной реакции между ОН-ионами анионообменной смолы и анионами металлосодержащих растворов. Синтезированные гидрозоли использованы для получения проводящих пленок оксида индия (III) In2O3 и оксида индия, легированного оловом In2O3:Sn, с поверхностным сопротивлением 4 кОм/кв, толщинами 200- 500 нм и прозрачностью более 85 %. Подобраны режимы нанесения прекурсоров на стеклянные подложки модифицированным спрей-методом и методом центрифугирования. Пленки исследованы с помощью РФА, СЭМ, оптической микроскопии и спектрофотометрии. In the work, sedimentation-stable sols of indium (III) and tin (IV) hydroxides were obtained by the Anion Resin Exchange Precipitation, which consists of the exchange reaction between the OH ions of the anion exchange resin and the anions of metal-containing solutions. The synthesized hydrosols were used to obtain conducting films of indium (III) In2O3 oxide and indium oxide doped with Tin In2O3: Sn, with a surface resistance of 4 kOhm/sq, thicknesses of 200-500 nm and a transparency of more than 85 %. The modes of applying precursors to glass substrates by the modified spray method and centrifugation method are selected. Films were studied using XRD, SEM, optical microscopy and spectrophotometry. In the work, sedimentation-stable sols of indium (III) and tin (IV) hydroxides were obtained by the Anion Resin Exchange Precipitation, which consists of the exchange reaction between the OH ions of the anion exchange resin and the anions of metal-containing solutions. The synthesized hydrosols were used to obtain conducting films of indium (III) In2O3 oxide and indium oxide doped with Tin In2O3: Sn, with a surface resistance of 4 kOhm/sq, thicknesses of 200-500 urn and a transparency of more than 85 %. The modes of applying precursors to glass substrates by the modified spray method and centrifugation method are selected. Films were studied using XRD, SEM, optical microscopy and spectrophotometry.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Химия

Выпуск журнала: Т. 14, 1

Номера страниц: 45-58

ISSN журнала: 19982836

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский федеральный университет

Персоны

  • Фадеева Н. П. (Институт химии и химической технологии ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Сайкова С. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Пикурова Е. В. (Институт химии и химической технологии ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Воронин А. С. (ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»)
  • Фадеев Ю. В. (ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»)
  • Самойло А. С. (Сибирский федеральный университет)
  • Тамбасов И. А. (Институт физики им. Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН)

Вхождение в базы данных