ЛАВИННОЕ УМНОЖЕНИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Описание

Перевод названия: AVALANCHE MULTIPLICATION AND RADIATIVE RECOMBINATION OF CARRIERS IN SILICON SOLAR CELLS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Ключевые слова: p-n-переход, p-n-transition, microplasma, Solar Cells, микроплазмы, солнечные элементы

Аннотация: Определены условия ускорения носителей тока в полупроводниках до ударно-ионизационных энергий в сильных электрических полях ограниченной протяженности. Описаны генерационно-рекомбинационные процессы лавинного умножения и излучательной рекомбинации в виде микроплазм, возникающих в обратно смещенных р- п-переходах солнечных элементовПоказать полностью. Представлено физическое обоснование диагностики микродефектов в полупроводниках с помощью микроплазм. The paper defines the conditions for acceleration of carriers in semiconductors to the shock-ionization energies in a strong electric field of limited length and describes the generation and recombination processes of avalanche multiplication and recombination in microplasma that arise in the reverse-biased p-n-junction solar cells. This is a physical Justification for diagnosis of microdefects in semiconductors with the help of microplasma.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 4

Номера страниц: 11-14

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

  • Ленченко В.М. (Сибирский федеральный университет)
  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных