Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect : научное издание

Служба поддержки публикационной активности СФУ

Целью службы является создание условий для увеличения количества и повышения качества публикаций научно-педагогических работников СФУ.

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.1016/j.mssp.2021.105663

Журнал: Materials Science in Semiconductor Processing

Выпуск журнала: Т. 126

Номера страниц: 105663

ISSN журнала: 13698001

Издатель: Elsevier Science Publishing Company, Inc.

Smolyakov D.A. (Kirensky Institute of Physics,Krasnoyarsk Scientific Center,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Tarasov A.S. (Kirensky Institute of Physics,Krasnoyarsk Scientific Center,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Bondarev M.A. (Kirensky Institute of Physics,Krasnoyarsk Scientific Center,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Volochaev M.N. (Kirensky Institute of Physics,Krasnoyarsk Scientific Center,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Volkov N.V. (Kirensky Institute of Physics,Krasnoyarsk Scientific Center,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Nikolskaya A.A. (Lobachevsky State University)
Vasiliev V.K. (Lobachevsky State University)