Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106
Ключевые слова: Iron silicide, ferromagnet/semiconductor structure, Hanle effect, Spin accumulation, Electrical spin injection
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe--3--Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник. Ключевые слова: силицид железа, структуры ферромагнетик/полупроводник, эффект Ханле, спиновая аккумуляция, электрическая спиновая инжекция. The electrical injection of a spin-polarized current into silicon was demonstrated in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure. The spin accumulation effect was studied by measuring local and nonlocal voltage signals in a specially prepared 4-terminal device. The detected effect of electrical bias on the spin signal is discussed and compared with other results reported for ferromagnet/semiconductor structures.
Журнал: Письма в Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 46, № 13
Номера страниц: 43-46
ISSN журнала: 03200116
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук