Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2020

Идентификатор DOI: 10.21883/FTT.2020.07.49485.008

Аннотация: Выращены кристаллы (NH₄)₃VOF₅, однородность и однофазность которых установлена рентгеновскими методами (энергодисперсионной спектроскопи, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рентгеновской дифракции). Проведенные исследования температурных зависимостей теплоемкости, энтропии, деформации и барической восприимчивости свидетельствуют о наличии в кристаллах (NH₄)₃VOF₅ трех фазовых переходов, связанных со структурными превращениями. Построенная фазовая T-p диаграмма показывает температурные границы устойчивости реализующихся кристаллических фаз в (NH₄)₃VOF₅. Оптические и диэлектрические исследования свидетельствуют о сегнетоэластической природе фазовых переходов. Анализ экспериментальных данных совместно с данными изоструктурного кристалла (NH₄)₃VO₂F₄ позволяет выделить особенности физических свойств оксифторидов, содержащих ванадий различной валентности (IV и V). Ключевые слова: оксифториды, фазовые переходы, теплоемкость, двупреломление, тепловое расширение, восприимчивость к давлению. The (NH_4)_3VOF_5 crystals have been synthesized and their homogeneity and single-phase structure has been established by the X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy studies. The investigations of the temperature dependences of specific heat, entropy, strain, and pressure susceptibility show the occurrence of three phase transitions caused by the structural transformations in the (NH_4)_3VOF_5 crystals. The T – p phase diagram shows the temperature limits of stability of the crystalline phases implemented in (NH_4)_3VOF_5. The optical and dielectric studies disclose the ferroelastic nature of the phase transitions. An analysis of the experimental data together with the data on the isostructural (NH_4)_3VO_2F_4 crystal makes it possible to distinguish the physical properties of oxyfluorides containing vanadium of different valences (IV and V).

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 62, № 7

Номера страниц: 1123-1131

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

• Богданов Е.В. (Институт инженерных систем и энергетики, Красноярский аграрный университет)
• Погорельцев Е.И. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
• Карташев А.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Горев М.В. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
• Молокеев М.С. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
• Мельникова С.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Флеров И.Н. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
• Лапташ Н.М.

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК