Перевод названия: Production of photoactive heterostructures Si / Cu2O / ITO by extraction-pyrolysis method
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.31044/1684-5811-2020-21-4-163-167
Ключевые слова: Oxide semiconductor, extraction-pyrolysis method, photoactive heterostructure, оксидные полупроводники, экстракционно-пиролитический метод, фотоактивные гетероструктуры
Аннотация: Представлена фотоактивная гетероструктура р-Si / p-Cu2O / n-ITO, полученная нанесением на кремниевую подложку оксида меди и оксида индия-олова экстракционно-пиролитическим методом. Показана возможность формирования данным методом электронно-дырочного перехода p-Cu2O / n-ITO, что открывает возможность создания гетероструктурных солнПоказать полностьюечных элементов на больших поверхностях и снижения затрат на их производство. Наличие проводящего прозрачного оксида ITO создает условия более активного фотопреобразования. The photoactive heterostructure р-Si / p-Cu2O / n-ITO is discussed, that has been produced by the deposition of copper oxide and indium-tin oxide on a silicon substrate by the extraction-pyrolysis method. The formation possibility of the electron-hole junction p-Cu2O / n-ITO by the given method is demonstrated, that allows one to create heterostructural solar elements on large areas and decrease costs for manufacture of them. The presence of conducting transparent oxide ITO creates conditions for more active photo transformation.
Журнал: Химическая технология
Выпуск журнала: Т. 21, № 4
Номера страниц: 163-167
ISSN журнала: 16845811
Место издания: Москва
Издатель: ООО "Наука и технологии"