Перевод названия: METHOD OF OBTAINING HETEROSTRUCTURE, GLASS ENRICHED WITH Si/δ*-Bi2O3/GLASS ENRICHED WITH Bi, IN SYSTEM Bi2O3-SiO2
Тип публикации: патент
Год издания: 2019
Аннотация: Изобретение относится к способу получения гетероструктуры, которая может использоваться в качестве супер ионного проводника с защитным слоем и фотокатализатора с регулируемой активностью. Способ получения гетероструктуры стекло, обогащенное Si/δ*-Bi2O3/стекло, обогащенное Bi, в системе Bi2O3-SiO2 включает быстрое механическое смешивание исходных компонентов Bi2O3 и SiO2, загрузку их в платиновый тигель, нагрев до 1047°С±20°С-1250±20°C с выдержкой не менее 15 минут с последующим охлаждением со скоростью 10-1000°C/сек. Технический результат – получение трехслойной гетероструктуры, состоящей из двух видов стекол и супер ионного проводника (<img src="/get_item_image.asp?id=40988421&img=00000007.jpg" class="img_big">-Bi2O3), лишенная загрязнений и посторонних примесных фаз. 6 ил. FIELD: technological processes. SUBSTANCE: invention relates to a method of producing a heterostructure, which can be used as a superionic conductor with a protective layer and a photocatalyst with controlled activity. Method of producing heterostructure glass enriched in Si/δ*-Bi2O3/glass enriched with Bi, in system Bi2O3-SiO2 includes fast mechanical mixing of initial Bi2O3 and SiO2 components, loading them into a platinum crucible, heating to 1,047±20 °C…1,250±20 °C with holding for at least 15 minutes with subsequent cooling at rate of 10–1,000 °C/s. EFFECT: obtaining a three-layer heterostructure consisting of two types of glasses and a superionic conductor (δ*-Bi2O3), free of impurities and extraneous impurity phases. 1 cl, 6 dwg