Перевод названия: METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS WITH SILLENITE STRUCTURE
Тип публикации: патент
Год издания: 1992
Аннотация: <ru-page-number num="0001" /> <ru-paragraph-column num="02" /> <ru-paragraph-line num="0039" x="1308" y="1170" />Изобретение относится к способам выращивания<ru-paragraph-line num="0040" x="1311" y="1226" />монокристаллов со структурой силеннита и позволяет увеличить производительность<ru-paragraph-line num="0042" x="1309" y="1317" />способа и предотвратить растрескивание<ru-paragraph-line num="0043" x="1309" y="1364" />монокристаллов Bli2Ge020 и BI12SI020 диаметром 60-90 мм. Выращивают кристаллы методом Чохральского, отрывают от расплава. Проводят отжиг в ростовой камере<ru-paragraph-line num="0047" x="1312" y="1550" />при температуре на 25-45°С ниже температуры<ru-paragraph-line num="0048" x="1312" y="1611" />плавления, охлаждают со скоростью 10-30 град/ч, а в интервале 500-700°С - со скоростью 2.5-7,0 град/ч. 4 табл.<img src="/get_item_image.asp?id=40605730&img=00000001.TIF" class="img_big">