Тип публикации: патент
Год издания: 2019
Аннотация: Программа предназначена для расчёта положения аномалий Рэлея в периодических структурах, внедрённых в дефектный слой одномерного фотонного кристалла. Область применения: разработка и проектирование элементов нанофотоники. Функциональные возможности включают в себя определение спектрального положения аномалий Рэлея для заданных геомПоказать полностьюетрических параметров фотонного кристалла (толщины слоёв, их количество, показатели преломления, толщина дефектного слоя и его показатель преломления) и решётки (период решётки). Персональные данные отсутствуют. Программа содержит функцию, позволяющую выполнять расчет положения аномалий Рэлея по переданным в функцию параметрам системы.