Перевод названия: INTEGRAL ACCELERATION SENSOR
Тип публикации: патент
Год издания: 2017
Аннотация: p num="16"Изобретение относится к области микросистемной техники, в частности к приборам для измерения величины линейного ускорения. Интегральный датчик ускорения содержит выполненные из полупроводникового материала за одно целое опорную рамку и закрепленную на одном из ее плеч с помощью упругих консольных элементов с тензорезистивПоказать полностьюными преобразователями деформации инерционную массу, при этом датчик дополнительно содержит пару упругих торсионных элементов, расположенных на противоположных плечах опорной рамки перпендикулярно упругим консольным элементам и соединенных с инерционной массой, при этом тензорезистивные преобразователи деформации выполнены на основе кремниевых нанонитей, оснащенных измерительными электродами. Технический результат – повышение чувствительности интегрального датчика ускорений при сохранении рабочего частотного диапазона. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.img src="/get_item_image.asp?id=38274960&img=00000001.tif" class="img_big"/p p num="17"FIELD: physics./p p num="18"SUBSTANCE: sensor comprises a support frame and an inertial mass fixed to one of its arms by means of elastic console elements with piezoresistive deformation transformers made of semiconductor material integrally, wherein the sensor additionally comprises a pair of elastic torsion elements disposed on opposite arms of the support frame perpendicular to the elastic console elements and connected with the inertial mass, wherein the piezoresistive deformation transformers are made on the basis of silicon nanowires equipped with measuring electrodes./p p num="19"EFFECT: increasing the sensitivity of the integral acceleration sensor while maintaining the operating frequency range./p p num="20"2 cl, 3 dwg/p