СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ : патент на изобретение

Описание

Перевод названия: METHOD FOR GROWING GERMANIUM MONOCRYSTALS

Тип публикации: патент

Год издания: 2017

Аннотация: p num="18"Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия методом Чохральского для оптических применений. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и дополнительную - кремний, в количестве от 1,3⋅1020 см-3 до 3⋅1020 см-3 путем растворения кремнПоказать полностьюиевых стержней в ходе выращивания кристалла. Техническим результатом изобретения является повышение температурной стабильности оптических свойств монокристаллов германия. 1 табл./p p num="19"FIELD: physics./p p num="20"SUBSTANCE: method involves growing germanium crystals from a melt containing main dopant impurity - stibium and additional one - silicon, in an amount from 1.3⋅1020 cm-3 to 3⋅1020 cm-3 by dissolving silicon rods during the crystal growth./p p num="21"EFFECT: increased temperature stability of optical properties of germanium monocrystals./p p num="22"1 tbl/p

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных