Перевод названия: METHOD FOR OBTAINING SUBMICRON COBALT(II) FERRITE
Тип публикации: патент
Год издания: 2018
Аннотация: p num="41"Изобретение может быть использовано в электронике, в производстве телекоммуникационного оборудования и электродвигателей. Способ получения субмикронных порошков феррита кобальта(II) включает приготовление исходных реакционных водных растворов, содержащих соли кобальта и железа. В качестве солей кобальта и железа берут сулПоказать полностьюьфат кобальта(II) и сульфат железа(III) или нитрат железа(III). В качестве реагента-осадителя используют сильноосновный гелевый анионит АВ-17-8 в гидроксидной форме. Смесь осаждают в условиях постоянного перемешивания в течение 1 ч при температуре 60°С. Осадки отделяют от раствора, промывают водой, сушат при температуре 80°С и обжигают при температуре 950°С в течение 1 ч. Изобретение позволяет исключить применение агрессивных сред и высоких давлений, а также дополнительных стадий очистки и отмывки прекурсора при получении чистого однофазного порошка феррита кобальта(II). 4 ил., 2 пр./p p num="42"FIELD: electrical engineering./p p num="43"SUBSTANCE: invention can be used in electronics, in production of telecommunication equipment and electric motors. Method for obtaining submicron powders of cobalt(II) ferrite includes the preparation of initial reaction aqueous solutions containing cobalt and iron salts. As cobalt and iron salts, cobalt(II) sulfate and iron(III) sulfate or iron(III) nitrate are taken. Precipitation agent used is strongly basic anionite gel AV-17-8 in hydroxide form. Mixture is precipitated under continuous stirring for 1 hour at a temperature of 60 °C. Precipitates are separated from the solution, washed with water, dried at a temperature of 80 °C and calcined at 950 °C for 1 hour./p p num="44"EFFECT: invention makes it possible to exclude the use of aggressive media and high pressures, as well as additional stages of purification and precursor washing in the preparation of pure single-phase cobalt(II) ferrite powder./p p num="45"1 cl, 4 dwg, 2 ex/p