Технологические основы формирования микросетчатых прозрачных электродов при помощи самоорганизованного шаблона и исследование их свойств

Описание

Перевод названия: Technological Basis of the Formation of Micromesh Transparent Electrodes by Means of a Self-Organized Template and the Study of Their Properties

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2019

Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47542.17626

Аннотация: Представлены результаты исследования физических свойств микросетчатых прозрачных электродов на гибкой подложке, полученных с использованием в качестве шаблона контролируемым образом растресканных слоев кремнезема. Впервые предложен комбинированный подход к управлению параметрами микросетчатой структуры (ширина трещины и размер ячейПоказать полностьюки) с помощью варьирования pH и толщины слоя золя. На основе описанного подхода получены прозрачные электроды с поверхностным сопротивлением 4.1 Omega/sq при прозрачности 85.7%. Микросетчатые электроды характеризуются линейным оптическим пропусканием в видимом и ИК-диапазонах, что открывает перспективы для их применения в оптоэлектронике. This Letter presents the results of a study of the physical properties of micromesh transparent electrodes on a flexible substrate, obtained using a template in the form of silica layers subjected to controlled cracking. For the first time, a combined approach to the control of parameters of a micromesh structure (crack width and cell size) by varying the pH and the thickness of the sol layer is proposed. Using this approach, transparent electrodes with a surface resistance of 4.1 Ω/sq with a transparency of 85.7% were obtained. Micromesh electrodes are characterized by linear optical transmission in the visible and IR ranges, which opens up prospects for their use in optoelectronics.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 45, 7

Номера страниц: 59-62

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Персоны

  • Воронин А.С. (Красноярсий научный центр СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Cимунин M.M. (Сибирский федеральный университет)
  • Фадеев Ю.В. (Красноярсий научный центр СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Иванченко Ф.С. (Сибирский федеральный университет)
  • Карпова Д.В. (Красноярсий научный центр СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Тамбасов И.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Хартов С.В. (Красноярсий научный центр СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)

Вхождение в базы данных