Перевод названия: DEVICE TO MEASURE LIFE TIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
Тип публикации: патент
Год издания: 2012
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках содержит управляемый СВЧ блок, управляемый измерительный блок с СВЧ резонатором, а также блок управления автоматической калибровкой и измерением с применением компьютера. При этом СВЧ резонатор выполнен в виде цилиндрического диэлектрического резонатора, с одной стороны которого закреплен полупроводниковый лазерный диод, а между торцевыми поверхностями диэлектрического резонатора соосно с осью цилиндра выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода. Технический результат -повышение точности и надежности измерений времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках бесконтактным СВЧ методом. 1 ил.<img src="/get_item_image.asp?id=37492090&img=00000001.TIF" class="img_big"> FIELD: electricity. SUBSTANCE: device to measure life time of minority charge carriers in semiconductors comprises a controlled microwave unit, a controlled measurement unit with a microwave resonator, and also a unit to control automatic calibration and measurement with application of a computer. At the same time the microwave resonator is made in the form of a cylindrical dielectric resonator, at one side of which there is a semiconductor laser diode fixed, and between the end surfaces of the dielectric resonator coaxially with the cylinder axis there is a through hole arranged, through which the laser diode emits. EFFECT: higher accuracy and reliability of measurements for life time of minority charge carriers in semiconductors with a contact-free microwave method. 1 dwg