Перевод названия: METHOD OF SILICON CRYSTALS GROWTH
Тип публикации: патент
Год издания: 2010
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания кристаллов кремния из кварцевых тиглей по методу Чохральского. Способ включает плавление, выращивание кристалла кремния из расплава в камере печи 2 с последующим охлаждением и удалением остатков расплава кремния из тигля 1 путем создания перепада давления между камерой печи 2 и камерой 5 резервуара-хранилища 4 с одновременным перекачиванием остатков расплава кремния по трубке 3, один конец которой помещают в остаток расплава в тигле 1, а другой конец - в водоохлаждаемый резервуар-хранилище 4, при этом остаток расплава кремния, оставленный в кварцевом тигле, не должен превышать 10 мм. Технический результат изобретения заключается в сокращении затрат за счет исключения разрушения кварцевых тиглей и увеличения кратности их использования, а также возможности вторичного использования остатков кремния при последующем периодическом процессе выращивания кристаллов. 1 ил.<img src="/get_item_image.asp?id=37461455&img=00000001.TIF" class="img_big"> FIELD: machine building. SUBSTANCE: method includes melting, growing of silicon crystal from melt in furnace chamber 2 with following cooling and removing of residues of silicon melt from melting pot 1 by means of creation of pressure difference between furnace chamber 2 and chamber 5 of tank- storage 4 with simultaneous pumping-over of silicon melt residues by tube 3, one end of which is placed into the rest of melt in melting pot 1, and the other end - into water-cooled tank- storage 4, herewith the rest of silicon melt, abandoned in quartz melting pot, should not exceed 10 mm. EFFECT: reduction of consumptions ensured by excluding of destruction of quartz melting pots and increasing of its usage multiplicity, ability of secondary usage of silicon residues at following cycle of crystals growing. 1 dwg