Перевод названия: GROWING OF GERMANIUM CRYSTALS
Тип публикации: патент
Год издания: 2015
Аннотация: Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих их концентрацию в расплаве 0,5·1020-1,2·1020 см-3 и 1·1019-5·1019 см-3 соответственно. Техническим результатом изобретения является повышение термостабильности оптических свойств выращиваемых кристаллов германия. 1 табл. FIELD: metallurgy. SUBSTANCE: this process comprises growing of germanium crystals from the melt containing the main alloying admixture, stibium, and two extra admixtures, silicon and tellurium, added to the melt in amounts to their concentration therein of 0.5·1020-1.2·1020 cm-3 and 1·1019-5·1019 cm-3, respectively. EFFECT: higher thermal stability of optical properties. 1 tbl