Перевод названия: METHOD FOR OBTAINING A BISMUTH GERMANATE Bi4Ge3O12
Тип публикации: патент
Год издания: 2018
Аннотация: p num="72"Изобретение относится к технологии получения германата висмута Bi4Ge3O12, который может быть использован в качестве исходного материала для выращивания чистых, бездефектных монокристаллов, а также в гамма-спектроскопии, ядерной промышленности, в медицине, оптоэлектронике, физике высоких энергий. Способ включает предваритеПоказать полностьюльное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида германия GeO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до заданной температуры, при этом полученный расплав предварительно подвергают термической обработке при температуре от 1160°С±20°С с выдержкой не менее 15 мин, затем расплав охлаждают до 1060°С±10°С - 1090°С±40°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 мин и далее охлаждают в печи со скоростью не выше 20 град/мин. Технический результат заключается в повышении эффективности процесса за счет снижения временных затрат и получении однофазного Bi4Ge3O12. 4 ил., 1 пр./p p num="73"FIELD: technological processes./p p num="74"SUBSTANCE: invention relates to a technology for the preparation of bismuth germanate Bi4Ge3O12, which can be used as a starting material for the cultivation of pure, defect-free single crystals, as well as in gamma spectroscopy, nuclear industry, in medicine, optoelectronics, high-energy physics. Method includes a preliminary mechanical mixing of the initial bismuth oxide powders Bi2O3 and germanium oxide GeO2, heating of the obtained mixture in a platinum crucible under a predetermined temperature, the obtained melt being pre-heat treated at a temperature of from 1,160±20 °C with an exposure of at least 15 minutes, then the melt is cooled to 1,060±10 °C…1,090±40 °C with isothermal holding in this temperature range for at least 15 minutes and then is cooled in the oven at a speed of no higher than 20 deg/min./p p num="75"EFFECT: technical result is to increase the efficiency of the process by reducing the time and obtaining a single-phase Bi4Ge3O12./p p num="76"1 cl, 4 dwg, 1 ex/p