Перевод названия: LED STRUCTURES BASED ON GAN
Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: ОСОБЕННОСТИ ИННОВАЦИОННОГО ЭТАПА РАЗВИТИЯ МИРОВОЙ НАУКИ. СОВРЕМЕННАЯ НАУКА КАК СОЦИАЛЬНО-ПОЛИТИЧЕСКИЙ ФАКТОР РАЗВИТИЯ ГОСУДАРСТВА; Уфа-Самара; Уфа-Самара
Год издания: 2018
Ключевые слова: led, quantum wells, equipment, radio engineering, светодиод, квантовые ямы, техника, радиотехника
Аннотация: Данная статья раскрывает сущность светодиодных структур, а также описывает три их области таких, как n-тип (эмиттер электронов), p - тип (эмиттер дырок) и активная область между p- и n- областями. В конце статьи раскрываются возможные причины снижения внешнего квантового выхода при больших токах инжекции в светодиодных структурах. Показать полностьюThis article reveals the essence of LED structures, and also describes their three areas such as n-type (electron emitter), p-type (hole emitter) and active region between p- and n-regions. At the end of the article, possible reasons for the decrease in the external quantum yield at high injection currents in LED structures are revealed.
Журнал: ОСОБЕННОСТИ ИННОВАЦИОННОГО ЭТАПА РАЗВИТИЯ МИРОВОЙ НАУКИ. СОВРЕМЕННАЯ НАУКА КАК СОЦИАЛЬНО-ПОЛИТИЧЕСКИЙ ФАКТОР РАЗВИТИЯ ГОСУДАРСТВА
Номера страниц: 67-68
Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Центр профессионального менеджмента "Академия Бизнеса"