Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2015
Аннотация: Для моттовских диэлектриков с тетраэдрическим окружением получена зависимость эффективного параметра Хаббарда U ?ff от давления. Эта зависимость не универсальна. Для кристаллов с d 5-конфигурацией спиновый кроссовер подавляет электронные корреляции, для d 4 -конфигураций параметр U ?ff увеличивается после спинового кроссовера. Для Показать полностьюd 2- и d 7-конфигураций U ?ff растет с повышением давления в высокоспиновом состоянии и насыщается после спинового кроссовера. Рассмотрены особенности перехода диэлектрик-металл с ростом давления, показана возможность каскадов из нескольких переходов для разных конфигураций.
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 147, № 1
Номера страниц: 149-156
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"