Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1978

Идентификатор DOI: 10.1007/BF00897422

Ключевые слова: GALLIUM ARSENIDE, SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS

Аннотация: The displacement of molten second-phase inclusions from the bulk of single-crystal gallium arsenide by a direct electric current has been investigated. It is shown that electrotransport of the melt components plays a decisive role in the zone migration mechanism. The Peltier heat counteracts electrotransport and lowers the resultinПоказать полностьюg drift velocity. Р’В© 1978 Plenum Publishing Corporation.

Журнал: Soviet Physics Journal

Выпуск журнала: Vol. 20, Is. 12

Номера страниц: 1563-1566

• Orlov A.M. (Ульяновский государственный университет,)
• Astakhov V.I. (M. I. Kalinin Krasnoyarsk Institute of Nonferrous Metals)
• Parkhomenko V.I. (M. I. Kalinin Krasnoyarsk Institute of Nonferrous Metals)

• Scopus
• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК