Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2018

Журнал: Физика и техника полупроводников

Выпуск журнала: Т.52, №5

Номера страниц: 528-528

ISSN журнала: 00153222

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

• Smolyarova T.E. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia)
• Lukyanenko A.V. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia)
• Tarasov A.S. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia)
• Sokolov A.E. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)