Перевод названия: NEW METHOD FOR FORMING REGULAR CROSS-BORDER STRUCTURES ON SILICON
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2018
Ключевые слова: пористый кремний, анодное травление, структура, фотолюминисценция, porous silicon, Anodic etching, structure, photoluminescence
Аннотация: Интерес к получению пористого кремния связан, в первую очередь с перспективностью создания на его основе оптоэлектронных устройств по единой кремниевой технологии. Нанокристаллический кремний, полученный анодным травлением в растворах плавиковой кислоты, обладает фотолюминесценцией в области видимого диапазона. Поэтому на его основПоказать полностьюе можно создавать оптоэлектронные приборы различного назначения: фотоприемники, излучатели, светодиоды и др. Развитая регулируемая поверхность пористого кремния делает его перспективным для создания сверхчувствительных газовых, жидкостных сенсоров и микротопливных элементов. Interest in obtaining porous silicon is connected, first of all, with the prospect of creating on its basis optoelectronic devices using a single silicon technology. Nanocrystalline silicon obtained by anodic etching in solutions of hydrofluoric acid has photoluminescence in the visible range. Therefore, it is possible to create optoelectronic devices for various purposes: photodetectors, radiators, light-emitting diodes, etc. The developed controlled surface of porous silicon makes it promising for the creation of ultrasensitive gas, liquid sensors and microfuel elements.
Журнал: Синергия Наук
Выпуск журнала: № 19
Номера страниц: 754-758
ISSN журнала: 25000950
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Сиденко Александр Сергеевич