Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Современные проблемы радиоэлектроники; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2017
Аннотация: Представлены результаты приборно-технологического моделирования TSG FINFET-транзистора с учетом проектных норм технологических процессов 32 и 10 нм. Проведено исследование влияния конструктивно-технологических параметров данного типа транзистора на его электрические характеристики с целью выявления дальнейшего вектора развития FINFПоказать полностьюET-технологии.
Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники
Номера страниц: 492-495
Издатель: Сибирский федеральный университет