Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2012
Аннотация: Показана возможность учета явления токовой неустойчивости (эффекта Ганна и отрицательной дифференциальной проводимости-ОДП) в простой нелинейной модели MESFET-транзистора с коротким затвором (1мкм) путем использования аппроксимации Тима для полескоростной характеристики носителей заряда в GaAs. Приведен поперечный разрез анализируеПоказать полностьюмого MESFET-транзистора и результат моделирования его вольт-амперной характеристики.
Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники
Номера страниц: 333-337
Издатель: Сибирский федеральный университет