The Insulator Band Structure and In-Gap States in Weakly Doped La2-xSrxCuO4 : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1993

Идентификатор DOI: 10.1080/00150199308008629

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Ferroelectrics

Выпуск журнала: Т. 144, 1

Номера страниц: 91-94

ISSN журнала: 00150193

Издатель: Gordon and Breach Science Publishers

Персоны

Вхождение в базы данных