Получение нанокристаллических материалов при помощи дугового разряда низкого давления

Описание

Перевод названия: Synthesis of nanocrystalline materials by means of low pressure arc discharge

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2004

Аннотация: Исследованы условия получения нанокристаллических слабоагломерированных материалов при помощи плазмы дугового разряда низкого давления. Исследованные системы включают TiN, TiO2, ZnO, Cu2O. Как правило, слабоагломерированные нанопорошки получаются при температуре подложки ?300 K и постоянном давлении газа 10-200 Па. Методами электроПоказать полностьюнной микроскопии и рентгеноструктурного анализа показано, что частицы порошка представляют собой монокристаллы округлой формы и средним размером менее 10 нм. На поверхности высажен аморфный конденсат с размером частиц менее 2 нм. Отсутствие крупных частиц объясняется термическими эффектами, происходящими в прикатодной области вакуумной дуги. Conditions of synthesis of nanocrystalline loosely aggregated materials by means of a low pressure arc discharge are investigated. The systems studied include TiN, TiO2, ZnO, Cu2O. In general, loosely aggregated nanopowders were formed at ?300 K at a constant gas pressure 10-200 Pa. Electron microscopy and X-ray structure analysis indicated that powder particles are globular single crystals with mean diameter less than 10 nm. Liquid-like condensate with mean diameter less than 2 nm are precipitated on the powder particle surface. No large-scale particles are explained by thermal effects in the cathode layer of a low pressure arc discharge.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физическая мезомеханика

Выпуск журнала: Т. 7, № S2

Номера страниц: 61-64

ISSN журнала: 1683805X

Место издания: Томск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук

Персоны

  • Ушаков А.В. (Красноярский государственный технический университет)
  • Редькин В.Е. (Красноярский государственный технический университет)

Вхождение в базы данных