Кластерная теория возмущений для модели Хаббарда: пиннинг химического потенциала

Описание

Перевод названия: Cluster Perturbation Theory for the Hubbard Model: the Pinning of Chemical Potential

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: Cluster perturbation theory, Hubbard model, Strong electron correlation, Exact diagonalization, X-operators, Density of states, кластерная теория возмущений, модель Хаббарда, сильные электронные корреляции, точная диагонализация, Х-операторы, плотность состояний

Аннотация: В настоящей работе проводится исследование однозонной двухмерной модели Хаббарда в рам- ках кластерной теории возмущений. Рассмотрение ограничено приближением ближайших со- седей. Первоначальная двумерная квадратная решетка разбивается на кластеры 2x2, образую- щие квадратную сверхрешетку. Методом точной диагонализации определяетсяПоказать полностьюполный набор собственных векторов и собственных значений отдельного кластера. На этом базисе проводит- ся построение Х-операторов, через которые переопределяется гамильтониан задачи. В прибли- жении Хаббард-I вычисляется спектральная функция, позволяющая исследовать распределение спектрального веса квазичастиц в хаббардовских подзонах. Исследовано влияние внутрищелевых состояний на пиннинг химического потенциала при малых концентрациях дырок. In this paper we study the single-band two-dimensional Hubbard model in the framework of the clus- ter perturbation theory. Consideration is limited to nearest-neighbor approximation. The original two- dimensional square lattice is divided into clusters of 2x2, forming a square superlattice. The complete set of eigenvectors and eigenvalues of a single cluster is determined by exact diagonalization method. On this basis, we construct X-operators, through which overrides the Hamiltonian of the problem. The spectral function is computed within the Hubbard-I approximation. This function allows to explore the distribution of spectral weight of the quasiparticles in the Hubbard subbands. The effect of the in-gap states at the pinning of the chemical potential at low concentrations of holes is explored.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Математика и физика

Выпуск журнала: Т. 4, 2

Номера страниц: 162-167

ISSN журнала: 19971397

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Персоны

Вхождение в базы данных