Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2019
Идентификатор DOI: 10.1134/S1063783419100354
Ключевые слова: aluminum-doped zinc oxide, atomic layer deposition, structural and optical properties, thermoelectric properties, thin films
Аннотация: Abstract: Aluminum-doped zinc oxide thin films have been grown by atomic layer deposition at a temperature of 200°C. Using X-ray diffraction, it has been established that the ZnO:Al thin films exhibits the reflections from the (100), (002), (110), and (20
Журнал: Physics of the Solid State
Выпуск журнала: Vol. 61, Is. 10
Номера страниц: 1904-1909
ISSN журнала: 10637834
Издатель: Pleiades Publishing