РАЗВИТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОСМИЧЕСКИХ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ : научное издание

Описание

Перевод названия: DEVELOPMENT OF SEMICONDUCTOR SPACE NANOTECHNOLOGIES TO OBTAIN HIGH EFFICIENCY SOLAR BATTERIES

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Аннотация: Создание высокоэффективных приборов микро-, нано- и фотоэлектроники на основе полупроводниковых наногетероструктур, состоящих из соединений III-V, выращенных на дешевых и прочных Si-подложках, является одной из приоритетных задач современного полупроводникового материаловедения. Решение этой проблемы крайне важно и для развития высПоказать полностьюокоэффективной фотовольтаики. Creation of high efficiency devices of micro-, nano- and photoelectronics based on semiconductor heteronanostructures consisting of III-V compounds, grown on cheap and permanent Si underlayers, is one of key assignments of modern semiconductor material engineering. The problem solution is dramatically important to develop high efficiency PV.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1

Номера страниц: 412-414

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Персоны

  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Гутаковский А.К. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Латышев А.В. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Владимиров В.М. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Паханов Н.А. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Преображенский В.В. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Путято М.А. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Семягин Б.Р. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных