Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Мп атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная МпвСез-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ~ 120 °С. Дальнейшее увПоказать полностьюеличение температуры отжига до 300 °С приводит к началу синтеза MniiGeg-фазы, которая становится доминирующей при 400 °С. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ~ 120 и ~300°С. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза \Fn.-.Ge.s- и MnnGee-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-nленках 80Ge: 20Мп атомного состава и при фазовом расслоении в Ge,M!ii г (х 0.95) разбавленных полупроводниках.
Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 96, № 1-2
Номера страниц: 42-45
ISSN журнала: 0370274X
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"