Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 1999
Аннотация: При переходе от простых полупроводников к более сложным химическим составам мы сталкиваемся в основном с нестехиометричными или специально-нелегированными соединениями. В сочетании с другими особенностями d(f)-соединений это может приводить наряду с обычным для магнитных полупроводников рассеянием на спиновом беспорядке, к необычноПоказать полностьюму примесному вкладу в общее рассеяние носителей даже в беспримесных полупроводниках. На основе модельного гамильтониана предложена единая схема расчета энергетической структуры дна зоны проводимости ферромагнитного полупроводника, температурных и полевых зависимостей примесного вклада в электросопротивление. Вычисленное магниторезистивное отношение отрицательно и имеет максимум в районе Tc. Проведено качественное сравнение результатов с экспериментальными зависимостями холловской подвижности и магниторезистивного отношения от температуры в тройном полупроводнике n-HgCr2Se4, не обладающего стехиометрией по халькогену. Для выделения не наблюдавшихся ранее температурных осцилляций электросопротивления проделана тщательная обработка низкотемпературной части электросопротивления с помощью полученных формул.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 41, № 1
Номера страниц: 68-76
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука