Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2021
Идентификатор DOI: 10.1021/acsami.1c08036
Ключевые слова: atomic layer deposition, titanium oxynitride, copper doping, surface segregation, thin film
Аннотация: Copper-doped titanium oxynitride (TiNxOy) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) using the TiCl4 precursor, NH3 , and O-2 at 420 degrees C. Forming gas was used to reduce the background oxygen concentration and to transfer the copper atoms
Журнал: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Выпуск журнала: Vol. 13, Is. 27
Номера страниц: 32531-32541
ISSN журнала: 19448244
Место издания: WASHINGTON
Издатель: AMER CHEMICAL SOC