Перевод названия: MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF THE NANOGEROSTRUCTURES FOR THE HIGH EFFICIENT SOLAR CELLS FOR THE SPACE-SYSTEM ENGINEERING

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Ключевые слова: наногетероструктуры, GaAs, Si, nanogeterostructures, semiconductors, Solar Cells, molecular-beam epitaxy, полупроводники, солнечные элементы, молекулярно-лучевая эпитаксия

Аннотация: Анализируются возможности создания высокоэффективных приборов микро-, нано- и фотоэлектроники нового поколения на основе полупроводниковых наногетероструктур GaAs/Si. Проведено сравнение характеристик GaAs солнечных элементов, сформированных на подложках GaAs и Si. КПД гибридного СЭ, изготовленного в ИФП СО РАН, составляет 27 % безПоказать полностьюконцентрации света. Намечены пути оптимизации технологии для дальнейшего улучшения свойств структур с перспективой увеличения КПД свыше 34 %. The probabilities of creation of high effective new generation devices of micro-, nano- and photoelectronics based on the semiconductor nano-heterostructures GaAs/Si are under analysis. The comparison of GaAs solar elements characteristics formed on GaAs and Si substrates was carried out. The efficiency of the hybrid solar element created in ISP SB RAS is 27 % without light concentration. The ways of technology optimization for further improving of structures properties with the perspective of efficiency increasing over 34 % are charted.

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1

Номера страниц: 481-482

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

• Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Преображенский В.В. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Путято М.А. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Дерябин А.С. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Соколов Л.В. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Никифоров А.И. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Гутаковский А.К. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Труханов Е.М. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Паханов Н.А. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Василенко А.П. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Лошкарёв И.Д. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Феклин Д.И. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
• Владимиров В.М. (ООО НПФ «ЭЛЕКТРОН»)
• Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)