Перевод названия: The structural defects FORMATION in irradiated semiconductors
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2011
Аннотация: Методом просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах, облученных электронами с подпороговой (100 кэВ) и надпороговой (400 кэВ) энергиями. The regularities of structural defects formation in 100 keV and 40Показать полностью0 keV electron beam irradiated semiconductors and semiconductor heterostructures is studied by transmission and high-resolution electron microscopy.
Журнал: Решетневские чтения
Выпуск журнала: Т. 1, № 15
Номера страниц: 398-399
ISSN журнала: 19907702
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева