Динамика решетки и сегнетоэлектрическая неустойчивость в объемных кристаллах и тонких пленках твердых растворов PbB1/2B"1/2O3(B=Sc,Ga,In,Lu,B"=Nb,Ta) : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Описание

Тип публикации: диссертация

Год издания: 2008

Ключевые слова: физика конденсированного состояния

Аннотация: В рамках неэмпирической модели поляризуемых ионов вычислены динамика решетки, динамические заряды Борна, высокочастотная диэлектрическая проницаемость для неупорядоченных и упорядоченных соединений твердых растворов PbB ' 1 / 2B " 1 / 2O 3 (B ' = Sc, Ga, In, Lu; B " = Nb, Ta). Обнаружено, что все соединения обладают неустойчивостьюПоказать полностью. Для неупорядоченных соединений предложена модель антисегнетоэлектрического состояния, связанного с конденсацией мягкой полярной моды и мягкой моды на границе зоны Бриллюэна. Показано, что антисегнетоэлектрическая и сегнетоэлектрическая фазы близки по энергиям для индиевых и лютециевых соединений. В приближении локальной моды из неэмпирического расчета определены параметры модельного гамильтониана, описывающего сегнетоэлектрический фазовый переход. С этим гамильтонианом методом Монте-Карло вычислены температуры перехода для неупорядоченных и упорядоченных твердых растворов. Установлено, что температура фазового перехода для всех рассматриваемых соединений повышается с увеличением атомного номера иона B '. В рамках той же модели рассчитаны динамика решетки, динамические заряды Борна и высокочастотная диэлектрическая проницаемость тонких пленок BaTiO 3, PbTiO 3 и пленок неупорядоченных твердых растворов рассматриваемого ряда. Показано, что все пленки обладают сегнетоэлектрической нестабильностью. Установлено, что при увеличении толщины пленки частота мягкой полярной моды стремится к соответствующему значению для объемного кристалла. Показано, что для разных типов поверхности поведение профиля поляризации в пленке и ее зависимость от толщины различны.

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных