Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Аннотация: Приводятся результаты измерений анизотропного электросопротивления монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников RBa2Cu3O6+x (R=Tm,Lu) в широком интервале уровней допирования, свидетельствующие о нетривиальном влиянии магнитного порядка на электронные свойства купратов. В частности, полученные данные наглядно демонстрируют крПоказать полностьюоссовер от состояния с умеренной анизотропией электросопротивления рс/раb ~ 30 к сильноанизотропному состоянию с рс/раb ~ 7-103 как по мере понижения температуры, так и по мере уменьшения концентрации дырок в плоскостях СиО2. Показано также, что величина анизотропии чувствительна к магнитному состоянию плоскостей СиОг и достигает максимума при установлении дальнего антиферромагнитного порядка. Результаты обсуждаются в рамках теории, основанной на t-t'-t"-J*-момодели слоев СиО2 с учетом сильных электронных корреляций и ближнего магнитного порядка. В этой теории демонстрируются аномалии спиновых корреляторов и топологии поверхности Ферми при критической концентрации дырок р* ? 0.24. Концентрационная зависимость энергии носителей тока показывает при р р* частичное подавление энергии, обусловленное появлением псевдощели. Данная теория объясняет как экспериментально обнаруженную чувствительность анизотропии проводимости к установлению антиферромагнитного порядка, так и отсутствие аномалий в температурной зависимости сопротивления раь(Т) в окрестности температуры Нееля.
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 138, № 1
Номера страниц: 115-125
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"