Теоретическое изучение термодинамической стабильности и электронной структуры тонких пленок 3C-, 2H-, 2D-карбида кремния

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Карбид кремния --- один из самых распространенных материалов полупроводниковой техники. Тонкие пленки карбида кремния привлекательны с точки зрения создания приборов на основе гетеропереходов. Это связано с такой характерной особенностью данного соединения, как политипизм, приводящий к различию по физическим свойствам, а также ослоПоказать полностьюжняющий получение образцов материала высокого качества. В настоящей работе проводилось исследование термодинамической стабильности и электронной структуры ряда тонких пленок порядка нескольких нанометров на основе политипов 3C, 2H и 2D.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 56, 8

Номера страниц: 1603-1607

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Персоны

  • Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Краснов П.О. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Федоров А.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных