Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2x1, находящейся при комнатной температуре, и выявлена динамика изменения их фазового состава и электронной структуры с ростом покрытия. ПоказанПоказать полностьюо, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид марганца и пленка твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения ~0.9 nm Mn. При этом в диапазоне покрытий до 1.6 nm Mn наблюдается сегрегация кремния на поверхности пленки. Работа выполнена при поддержке Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY, при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение 14.B37.21.1276) и РФФИ (гранты N 13-02-00398 и N 13-02-01265).

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 56, № 2

Номера страниц: 375-379

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Варнаков С.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акaд. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
• Гомоюнова М.В. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)
• Гребенюк Г.С. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)
• Заблуда В.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
• Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
• Пронин И.И. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК